Главная > Области применения > Галерея решений > Решения для нанотехнологий > SIAMS-CP NanoSemi

Области применения
Материаловедение
Нанотехнологии
Петрография и минералогия
Биомедицина
Моделирование
Распознавание символов
Галерея решений
Решения для материаловедения
Решения для нанотехнологий
Решения для петрографии
Решения для биомедицины

SIAMS-CP NanoSemi: автоматизированный анализ наноструктур для полупроводниковой промышленности

Анализ регулярной структуры
Анализ шероховатости линий
Анализ ширины линий
Анализ формы зубцов

Группа решений предназначена для автоматизированного анализа изображений наноструктуры полупроводниковых материалов, полученных методами ПЭМ, РЭМ и АСМ микроскопии.

Анализ производится по произвольному числу полей зрения с накоплением и статистической обработкой результатов.

Пользователь имеет возможность производить настройку параметров обработки изображения на каждом этапе обработки, а также проводить коррекцию выделенных и классифицированных объектов.

После выполнения методики автоматически генерируется отчёт в формате MS Word, который включает в себя результаты анализа (таблицы, графики и примеры изображений микроструктуры). Форма отчёта может быть изменена в соответствии с запросами пользователя.

Анализ регулярной структуры

Объект исследования

Анализ проводится по изображению, полученному методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Измеряемые параметры

bullet Угол наклона главной оси к горизонтали
bullet Число колонок
bullet Число столбцов
bullet Расстояние между осями
bullet Расстояние между соседними объектами на одной оси
bullet Отклонение центра объекта от оси
bullet Размер объекта вдоль главной оси
bullet Размер объекта поперёк главной оси
bullet Площадь обекта
bullet Диаметр эквивалентной окружности
bullet Расстояние от объекта до межрядовой линии

Для каждого параметра определяется среднее значение, медиана, СКО, гистограмма распределения (кроме первых трёх параметров)

Пример анализа
 
Исходное изображение Выделенные объекты Гистограмма распределения расстояний между объектами

наверх

Анализ шероховатости линий

Объект исследования

Анализ проводится по изображению, полученному методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Измеряемые параметры

bullet Шероховатость линий по ширине (LWR)
bullet Шероховатость границ линий (LER)

Для каждого типа шероховатости определяется:
bullet Средняя шероховатость
bullet Среднеквадратичная шероховатость
bullet Шероховатость пиков
bullet Шероховатость впадин
bullet Общая шероховатость
bullet Ассиметрия
bullet Эксцесс

Дла каждого параметра определяется среднее, минимальное, максимальное значение, СКО, медиана, размах.

Пример анализа

 
Исходное изображение Секущие линии

наверх

Анализ ширины линий

Объект исследования

Анализ проводится по изображению, полученному методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Измеряемые параметры

bullet Максимальная ширина
bullet Минимальная ширина
bullet Средняя ширина
bullet Медианное значение ширины
bullet СКО значений ширины
bullet Гистограмма распределения ширины

Пример анализа

Исходное изображение Измерение ширины Гистограмма распределения ширины линии 1

наверх >

Анализ формы зубцов

Объект исследования

Анализ проводится по изображению, полученному методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

Измеряемые параметры

bullet Количество зубцов
bullet Для каждого зубца определяется
- высота
- ширина сверху
- ширина снизу
- минимальная ширина
- максимальная ширина

Пример анализа

Высота Ширина сверху Ширина снизу Ширина макс. Ширина мин.
1 804 36,9 68,6 26,4 68,6
2 806,2 37,2 69,2 28,6 69,2
3 801,8 43,2 74,2 33 74,2
4 801,8 34,5 68,4 26,4 68,4
5 808,4 35 70 28,6 70
Исходное изображение Процедура измерения Таблица результатов анализа

наверх

 

© SIAMS, 2008